规格书 |
|
安装风格 |
SMD/SMT |
晶体管极性 |
N-Channel |
RDS(ON) |
55 mOhms |
封装 |
Reel |
功率耗散 |
83 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
封装/外壳 |
DPAK |
最高工作温度 |
+ 175 C |
漏源击穿电压 |
100 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
* |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
4V @ 250µA |
供应商设备封装 |
* |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
55 mOhm @ 23A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
83W |
标准包装 |
2,500 |
漏极至源极电压(Vdss) |
100V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
23A (Tc) |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
700pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
29nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
2500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
100 V |
系列 |
NTD6415AN |
品牌 |
ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current |
80 A |
Pd - Power Dissipation |
83 W |
技术 |
Si |
Rds On - Drain-Source Resistance |
55 mOhms |